Hogere capaciteiten

Intel en Numonyx hebben een doorbraak geboekt in het stapelen van kruislings gekoppelde geheugenchips. Dit maakt hogere capaciteit voor snellere chips mogelijk.

De twee samenwerkende bedrijven plaatsen phase change memory-chips (pcm) op elkaar. Onderzoekers hebben nu een prototype gemaakt met een capaciteit van 64 megabit, meldt Intel. Meerdere van die chips kunnen dan een opslagapparaat vormen, zoals een usb-sleutel of ssd (solid state drive). Pcm-chips behouden net als flash-geheugenchips hun lading zonder dat er stroom nodig is.

Grotere snelheden

Het grote voordeel van pcm-chips is dat het de snelheid van regulier computergeheugen (sdram) combineert met het databehoud zonder stroom. Flash heeft die laatste eigenschap ook, maar is langzamer dan sdram-chips. Op flash gebaseerde opslagstations (ssd’s) kunnen wel weer sneller zijn dan reguliere harde schijven.

Het verschil tussen pcm en flash zit erin dat geheugencellen van eerstgenoemde bestaan uit materiaal dat zelf van fase verandert, bijvoorbeeld op basis van de vorm, als er stroom op gezet wordt. Voor flash moet het magnetisch veld worden aangepast, waarbij onderzoekers nu oplopen tegen fysieke grenzen. De gebruikte materialen voor de cellen worden te klein om goed ‘grip’ op te hebben met relatief grove magnetische velden. De productie van pcm-chips belooft dan ook goedkoper te zijn dan die van flash-geheugens.

Lees verder: Geheugendoorbraak overtroeft flash | Webwereld.